罗伯特·h·丹纳德

罗伯特·h·丹纳德，全文罗伯特·希思·德纳尔(生于1932年9月5日，特雷尔，德州他是美国工程师，因发明了单晶体管电池而受到赞誉动态随机存取存储器(DRAM)和开创了一套一致的缩放原则，奠定了日益小型化的性能改进集成电路，两个关键创新这帮助刺激了美国经济30多年来的增长电脑行业。

登纳德获得学士学位(1954年)和硕士学位(1956年)在电气工程从南卫理公会大学1958年获得博士学位卡内基理工学院(现在的卡内基梅隆大学)，匹兹堡。他加入了国际商业机器公司1958年，他在IBM担任工程师，首先从事内存和逻辑电路以及数据通信技术的开发。20世纪60年代初，他开始专注于微电子学。他对单晶体管单元DRAM的设计改进了其他类型的DRAM计算机内存当时正在开发(包括一个由丝网和磁环组成的存储系统)，1968年登纳德获得了这项设计的专利。这是他最终获得的40多项专利之一。丹纳德于1979年被授予IBM研究员头衔，在他50多年的职业生涯中，他在该公司担任过几个职位。

DRAM由一个数组组成半导体存储器细胞是集成在硅片上芯片．登纳德在20世纪60年代发明的存储单元使用了单一金属氧化物半导体(MOS)。晶体管存储和读取二进制数据电荷在MOS上电容器这种高密度存储器的设计使得DRAM的生产成本和功耗要求相对较低。自20世纪70年代作为商业产品问世以来，单晶体管单元DRAM广泛应用于计算机和其他电子设备。通过小型化，可以开发出包含数十亿个存储单元的DRAM芯片。

登纳德于1984年入选美国国家工程院，并于1997年入选美国国家发明家名人堂。登纳德获得的其他奖项和荣誉包括美国国家技术奖章和创新1988年，他从美国总统奥巴马手中接过了这枚勋章。罗纳德•里根(Ronald Reagan)，以及2005年Lemelson-MIT (麻省理工学院终身成就奖。2009年，他获得了荣誉勋章从美国电气和电子工程师学会和国家工程院的查尔斯·斯塔克·德雷柏奖．他后来被授予京都奖(2013年)。