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导率
半导体债券
pn结的特点
(一)pnp型双极型晶体管的角度;(B)理想化的一维晶体管;(C)符号pnp型和npn双极晶体管(E是一个发射器,B是一个基础,和C是一个收集器)。
(一)共发射极pnp晶体管的配置;(B)共发射极的pnp晶体管输出特性配置。
(一)三端晶闸管的角度;(B)一维截面晶闸管的象征;(C)晶闸管的电流电压特性。
(一)MESFET的角度;(B) MESFET的电流电压特性;(C) MESFET的象征。源(S, G是门,和D。)
横截面的异质结场效应晶体管异质结界面有导电通道。
(A)视角的MOSFET (B)为n, p沟道设备符号。
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晶体管 掺杂剂 pn结 少数载流子注入 CCD 我的地区 锂离子漂移 薄膜淀积 异质结构 耗尽层

关键人物

张忠谋
中国企业家