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NMOS晶体管负通道金属氧化物半导体(NMOS)利用正二次电压将栅极下方的p型半导体材料浅层转换为n型。对于正通道金属氧化物半导体(PMOS)，所有这些极性都是相反的。NMOS晶体管比PMOS晶体管更贵，但速度更快。
晶体管
互补金属氧化物半导体
电子空穴:运动
pn结
正偏p-n结
n-p-n晶体管的截面
MESFET晶体管在金属半导体场效应晶体管(MESFET)中，电流通常是开的(用于表示“真”或“1”)。二次电压施加到栅极以耗尽其下的载流子，从而掐断电流，或将状态改变为关(“假”或“0”)。
摩尔定律
第一个晶体管
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主题
晶闸管 场效应晶体管 薄膜晶体管 硅晶体管 互补金属氧化物半导体 双极型晶体管 发射器 收集器 基地 共发射极电路 CCD 掺杂剂 pn结 少数载流子注入
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