少数载流子注入,在电子技术中,一个过程发生在之间的边界p类型和n类型半导体材料,在某些类型的使用晶体管。每个半导体材料包含两种类型的自由移动的费用:电子(负电荷)孔(正电荷)。电子更加充裕,或多数,载体n型材料,孔越丰富,或少数,载体。在p类型的材料,然而,洞是多数载流子,和电子少数载流子。如果一个正确地连接到电池半导体材料,p类型材料可能获得额外电子(少数运营商),注入p类型的材料n流类型材料的电子从电池。这是少数载流子注入。双极结型晶体管是很重要的,这是由两个p- - - - - -n连接。