p型半导体

一个…n-type (negative)或ap型(正)半导体。一个n型半导体是通过植入掺杂原子而产生的，这些掺杂原子在外层(键合)层中比硅有更多的电子。由此产生的半导体晶体含有多余的或自由的电子，可用于传导电流。一个p型半导体是由注入掺杂原子产生的…

这是一个p型半导体，由硼构成受体。

以前的差距p类型的材料。栅极电压因此产生一个连续的区域n在整个条带上，允许电流从一边流到另一边。这样晶体管就打开了。同样,一个p型增强型场效应晶体管可由两个区域制成p类型材料……

P如果掺杂剂是比硅原子少一个电子的硼，就会产生硅。每增加一个硼原子，就缺少一个电子，也就是一个带正电的空穴。

一个p型半导体是孔洞占优势的半导体;一个n型半导体具有传导电子的优势。这些符号p而且n来自于粒子电荷的符号:p洞和为正n电子带负电荷。

之间的边界p类型和n型半导体材料，用于某些类型的晶体管。每种半导体材料都包含两种自由移动的电荷:电子(负电荷)和空穴(正电荷)。电子是更丰富的，或者说大部分的载流子n型材料，孔为

那是温和的n——或者p型，由于残留的掺杂剂。(掺杂是将一种称为掺杂剂的杂质添加到半导体中以增强其导电性的过程。如果由于掺杂而形成了多余的正空穴，则半导体为ap类型;如果多余的自由…

(从而成为积极的，或p-type，载流子)，而另一个则接受电子(变成负电荷或负电荷)n类型、载体)。允许这种情况发生的电子结构是带隙;它相当于将一个电子从较低波段移动到较高波段所需的能量。的严重性……

…的使用p-n之间的连接p类型和n型半导体材料，通常是硅或锗。如图所示p类型和n一种在热源和热沉之间具有电阻电力负载的半导体腿R_l连接整个