的p- - - - - -n结

如果突然改变杂质类型从受体(p类型)向捐助者(n发生在一个类型)单晶结构,p- - - - - -n结形成(看到B和C的部分图)。在p方面,孔构成的主导运营商,所以被称为多数航空公司。一些热生成的电子也会存在p一面;这些被称为少数运营商。在n方面,电子大多数运营商,而孔少数运营商。结附近地区没有自由电荷载体。这个地区,称为耗尽层,行为作为一个绝缘子。

最重要的特征p- - - - - -n连接是他们纠正。部分的图显示了一个典型的电流电压特性硅p- - - - - -n结。正向偏压时应用p- - - - - -n结(即。,一个正电压应用到p一边的n边,如B部分所示的图),绝大多数载流子移动整个结这一大当前的可以流动。然而,当反向偏压应用(如C图的一部分),电荷载体引入的杂质离结,朝着相反的方向,只有一个小泄漏电流流动。反向偏压的增加,泄漏电流是很小的,直到达到一个临界电压,此时电流突然增加。突然增加的电流称为结击穿,通常一个无损现象如果由此产生的力量耗散仅限于一个安全的价值。应用正向电压通常小于1伏特,但相反的临界电压,称为击穿电压,可以改变从小于1伏特到成千上万伏,根据结的杂质浓度和其他设备参数。

虽然其他连接类型(包括发明的p- - - - - -n- - - - - -p和n- - - - - -p- - - - - -n),p- - - - - -n连接保持半导体器件的基础。为进一步细节的应用这些基本的半导体特性,看到晶体管和集成电路。