耗尽层

…的栅电极的耗尽区金属半导体接触接触。栅电压的增加或减少对源导致耗尽区扩大或缩小;这反过来改变可用的横截面积电流从源到下水道。因此,MESFET…

…结,形成势垒区附近的结。耗尽区,电场存在快速扫描电子空穴对,可能是热生成,减少电荷载体的平衡浓度非常低的水平。在这种情况下…

这个地区,称为耗尽层,表现为绝缘体。

…的界面形成耗尽层将作为双方之间的绝缘体。一个负电压应用到n层将多余的电子在界面,在这里,他们将会结合吸引带正电的空穴在电场。当前…

…在大门口诱发耗尽层下方的限制电子可以在源极和漏极之间的流动。该设备就像一个压控电阻;如果门电压足够大,它可以阻止这个流几乎完全。相比之下,一个正电压门鼓励…