场效应晶体管

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备选标题:场效应晶体管

了解这个话题在这些文章中:

与双极结型晶体管

  • NMOS transistorNegative-channel金属氧化物半导体(NMOS)使用积极的二次电压开关一个浅层的p型半导体材料在门口为n型。positive-channel金属氧化物半导体(pmo),所有这些极性是相反的。NMOS晶体管更贵,但是速度更快,比PMOS晶体管。
    晶体管:场效应晶体管

    另一种场效应晶体管,称为金属半导体场效应晶体管(MESFET),特别适用于微波炉和其他高频应用程序,因为它可以从半导体材料制造电子的机动性高,不支持一个绝缘表面氧化层。这些

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电子产品

  • 晶体管
    电子产品:使用场效应管

    …1960年代初场效应晶体管,如金属氧化物半导体场效应晶体管或场效应晶体管(看到图)。另一种类型,结型场效应晶体管,以类似的方式工作,但更常用。MOSFET包含两个区域:(1)源(这里显示连接到硅衬底)…

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垂直

  • 导率
    半导体器件:金属半导体场效应晶体管

    …的MESFET,各种异质结场效应晶体管(fet)已经开发出来。异质结是一个接点之间形成两种不同的半导体,如二元化合物砷化镓和三元化合物x遗传算法1−x作为。这种连接有许多独特的特性,不是现成的传统pn连接…

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集成电路

  • 集成电路
    集成电路:场效应晶体管

    将负电压接近长地带的中心n类型材料将击退附近的电子材料,从而形成漏洞是,改变一些中间地带p类型的材料。这种极性的改变使用…

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