光刻

为了改变硅片上特定位置,光致抗蚀剂层首先应用(如部分中描述沉积)。光致抗蚀剂,或只是抗拒,通常在高-溶解pH值解决方案在暴露于光(包括紫外线辐射或x射线),这个过程被称为发展,是通过使用一个控制的面具。面具是由应用厚的存款铬在一个特定的模式来一杯板。chrome提供了一个阴影大多数晶片,允许“光”文风只有在所需的位置。这使得创建极小areas-depending波长的光测试单位无保护的努力抗拒。

洗后发达抵制,不受保护的地区可以通过修改沉积、腐蚀或植入过程上面所描述的那样,在不影响其余的晶片。一旦完成这些修改,其余的抵制是由一种特殊的溶剂溶解。重复这个过程有不同的面具在各层(30)创建改变晶片。

设计每一层的面具的人称为布局工程师,或面具设计师。电路元件的选择和连接电路给面具设计师的设计师,但是面具设计师有很大的自由来决定最终的产品将被创建,这层将被用来构建组件,如何设计连接,它将如何看,这将是多大,以及它将如何执行。成功的IC电路之间的发展是一个团队的努力和面具设计师。