光刻

为了改变硅片上特定位置,光致抗蚀剂层首先应用(如沉积一节中介绍)。光刻胶或抵制,一般溶解在光照后减的解决方案(包括紫外辐射或x射线

光学光刻技术是一个相对成熟的领域,因为高度细化的微电子芯片制造,与当前短波光学光刻技术达到尺寸略低于100纳米(纳米级)的传统阈值定义。短波长源,如极端的紫外线和x射线,…