的pn结
如果突然改变杂质类型从受体(p类型)向捐助者(n发生在一个类型)单晶结构,p- n结形成(见和)。在p方面,孔构成占主导地位的运营商,因此被称为多数航空公司。一些热生成的电子也会存在p一面;这些都是所谓少数运营商。在n侧电子大多数运营商,而孔少数运营商。结附近地区没有自由电荷载体。这一地区,被称为耗尽层,表现为绝缘体。
最重要的特征p- n连接是他们纠正;也就是说,它们允许电流容易只在一个方向。显示了电流电压特征一个典型的硅p- n结。当一个正向偏压是应用p- n结(也就是说,一个正电压应用到p一边的n边,如图所示),绝大多数载流子穿过结这样一个大电流可以流。然而,当一个反向偏压(在应用),电荷载体引入的杂质朝着相反的方向远离结,最初只有一个小泄漏电流。反向偏压的增加,当前仍然是非常小的,直到达到一个临界电压,此时电流突然增加。这在当前被称为突然增加结击穿,通常是一种无损的现象,如果由此产生的力量耗散仅限于一个安全的价值。应用